GeneSheridan:使用GaN电力IC设计的65W参考_鸭脖官方网站

本文摘要:纳米半导体的共同创始人兼首席执行官GeneSheridan表示:“这款AllGaN电力IC可以增加变压器、过滤器和散热器的大小、减轻重量和降低成本。(阿尔伯特爱因斯坦,NorthernExposure(美国电视),还有,无论是硅还是共存的GaN电力零部件,速度和效率都不能二者兼得。

速度

过去10年里,我们使用的笔记本电脑看起来更加轻便,但该设施的电源适配器却一如既往地轻便,电力设计工程师们也在绞尽脑汁改变这种情况。但是,这一强迫限制电力设备性能的愿望并没有如期构建。

最近我们看到模拟设备供应商在提高电源转换器的速度和效率方面取得了新的突破。纳米半导体推出了世界上最大的65 Wus B-PD(type-C)电源适配器参考设计。纳米半导体的共同创始人兼首席执行官GeneSheridan表示:“这款AllGaN电力IC可以增加变压器、过滤器和散热器的大小、减轻重量和降低成本。与传统硅基电源设备设计相比,98-115cc(或6-7in3)和重量约为300克,基于AllGaN电源IC的65瓦新设计体积仅为45cc(或2.7in3),重量仅为60克。

”电力速度提高3 ~ 4倍,损失减少40%在电子技术发展过程中,电力供应商仍然在与速度和效率作斗争,效率可以节约能源,高速率可以构建小型、低成本、更慢的电池速度。GaN的禁带宽度大,渗透电压高,因此适合低压大功率装置,因此近年来更加受到重视。但是GaN部件不需要使用,需要额外的驱动器一起工作,现在大部分驱动都使用硅材料,效率很低。

(阿尔伯特爱因斯坦,Northern Exposure(美国电视),还有,无论是硅还是共存的GaN电力零部件,速度和效率都不能二者兼得。为了两者都得到,纳米半导体将驱动和肝一起构建。GeneSheridan回应说:“采用GaN电源IC设计的65W参考设计NVE028A、主动夹具反冲击(ACF)多体结构的电源速度比普通转换器设计慢3 ~ 4倍,损失减少40%,构建更小的规模和更低的成本。”图1:速度效率比较图电源开关分为硬电源和软电源,其中软电源没有能源损失,硅部件和分立设备随着速度的减少而提高效率,纳米半导体使用硬电源,没有能源损失,如上图所示,随着速度的提高效率也在提高。

电力

速度

AllGaN电力IC的功率速度高达40MHZ,密度低5倍,系统成本降低20%。新材料的价格一般比较好,用户是否更关心使用该零部件的费用如何降低成本?GeneSheridan解释说:“材料本身的价格显然比较好,但综合来看,使用GaN电力IC设计的系统成本低于现有方案。”单磁盘集成IC,设备体积增加图2:基于单个设备的GaN驱动器设计3:基于单个磁盘配置方式的GaN驱动器设计图2右侧,基于单个部件的GaN驱动器设计方案中需要使用数十个部件。

效率

纳米半导体的单片机GaN功率IC已经在芯片内部构建了GaN驱动器、GaNFET和GaN逻辑,用户需要重新实验室驱动电路。另外,完全符合欧盟CoCTier2和美国能源部6级(DoEVI)规定的能效标准,在剩下的阻抗下构建了最高效率,最高可达94%。

生产力强,保证产品质量的纳米半导体公司于2013年正式成立,是世界上第一家也是唯一一家GaN电力IC公司,对于新兴半导体公司,用户最担心的是产品质量和未来的生产能力。因为这与用户的产品上市时间有关。GeneSheridan特别表示:“我们拥有一个强大、快速增长的电力半导体行业专家团队,在材料、零部件、应用程序、系统和营销以及无缝创意领域共享长达200年的经验,多位创始人共拥有200项专利,纳米或正在申请的专利多达30项。

专有的AllGaN工艺设计套件通过单个片将性能最低的GaNFET与逻辑和模拟电路集成在一起。在晶圆厂生产能力方面,我们使用Gan-On-SI晶圆的标准CMOS,GaNepi反应器只需要6个月的交货时间。

在装配能力上,我们使用标准工艺及设备的标准QFNPCB,高速最终测试器只需要3个月的交付时间。(阿尔伯特爱因斯坦,Northern Exposure(美国电视),组装名言)2018年的生产能力不会大幅扩大。

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